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GaAS电池片

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性 状: 砷化镓电池片GaAs属于III-V族化合物半导体材料,其能隙与太阳光谱的匹配较适合,且能耐高温。与硅太阳电池相比,GaAs太阳电池具有更好的性能。砷化镓电池与硅光电池的比较:

光电转化率:
砷化镓的禁带较硅为宽,使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。硅电池的理论效率大概为23%,而单结的砷化镓电池理论效率达到27%,而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。实际应用中硅的效率在18%左右,砷化镓却能达到40%。

质量标准: 提供空间用电池和地面电站用电池。
1. 空间用:转换效率η≥30%

2.  地面用:转换效率η≥40%

贮 存: 耐温性
常规上,砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池,砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作,但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
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